功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
STB65D5
STB65E0
STB65E5
STB65G0
STB65G4
STB6N52K3
STB6N60M2
STB6N62K3
STB6N65K3
STB6N65M2
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